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製品情報

フェイスダウン方式を採用した高性能枚葉式常圧CVD装置

A200V

  • ±2%以内の膜厚均一性
  • パーティクル発生抑制
  • コンパクトな装置構成
  • 良好な段差被覆性
  • 低温プロセス対応
  • メンテナンス性向上
  • 安全性の向上

特徴

  • 密閉式チャンバー内でウェハの成膜面を下部に向け上部のチャックで保持しながら加熱し、プロセスガスを下部にあるディスパージョンヘッドより吹き上げながら成膜する方式です。チャッキングすることにより、ウェハ面内温度均一性を改善し、優れた膜厚均一性を実現します、またウェハ裏面へのガスの回り込みを防ぐことで裏面成膜を防ぎ、ウェハ上およびチャンバー内へのパーティクルの付着を防ぎます。
  • 装置サイズを可能な限りコンパクト化しフットプリントの最小化を実現しました。
  • オゾンプロセスで低温化が可能です(150℃~350℃)
  • 密閉式チャンバーの採用により、ガスリークの発生をなくし、作業者の安全性が高められています。

性能

膜厚均一性 ≦±2%
対応ウェハサイズ ≦8インチ
ガス種 SiH4, O2, PH3, B2H6, N2(TEOS, TEB, TMOP, O3はオプション)
成膜温度 300℃~450℃(オゾンプロセスでは150℃~350℃)
生産性 20枚/時(500nm 成膜時)

主な仕様

装置サイズ 890㎜(W) x 2300㎜(D) x 2250㎜(H)
加熱機構 抵抗加熱
ロード・アンロード ダブルスライダ、ロボットCtoC搬送
ディスパージョンヘッド(ガスノズル) 丸型

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