フレキシブルな小規模生産、開発用常圧CVD装置
| 膜厚均一性 | 膜種・膜厚による |
|---|---|
| 対応ウェハサイズ | 加熱可能ゾーンに準じる |
| ガス種 | SiH4, O2, PH3, B2H6,N2（TEOS, TEB, TMOP, O3, TMAはオプション） |
| 成膜温度 | 350℃～450℃ |
| 生産性 | - |
| 装置サイズ | 1200㎜(W) x 2480㎜(D) x 1940㎜(H) |
|---|---|
| 加熱機構 | 抵抗加熱 |
| ロード・アンロード | マニュアル方式 |
| ディスパージョンヘッド（ガスノズル） | A63型2ヘッド |
サービス部
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