FPDなどリジット/フレキシブルデバイスに対応した常圧CVD装置
ガラス基板成膜装置
- 低温（150～300℃）処理
- 高品質なSiO2膜の形成
低ストレス、プラズマダメージレス、小パーティクル
- 導入・維持コストの削減
小フットプリント、真空・プラズマ処理不要
- 低価格
特徴
- FPDなどリジット/フレキシブルデバイスに対応した4.5世代ガラス基板成膜装置です。
- 成膜有効幅760mmのガスヘッド2基を搭載し、吸着式加熱ｽﾃｰｼﾞの採用により、温度制御性±3％以内を実現しました。
- 4.5世代ガラス基板に250℃で100nmのSiO2膜をスループット 25枚/h以上で成膜が可能で、膜厚均一性10％以内を確保できます。
性能
| 膜厚均一性 |
±10％ |
| 対応ガラス基板サイズ |
4.5世代 |
| ガス種 |
SiH4,O3, PH3, B2H6 |
| 成膜温度 |
150～300℃ |
主な仕様
| 装置サイズ |
1300㎜(W) x 7350㎜(D) x 2000㎜(H) |
| ガスヘッド |
成膜有効幅760mmのガスヘッド2基搭載 |
